Infineon Technologies - BAS16E6393HTSA1

KEY Part #: K6442143

[3234ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BAS16E6393HTSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GP 80V 250MA SOT23-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies BAS16E6393HTSA1 electronic components. BAS16E6393HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16E6393HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BAS16E6393HTSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BAS16E6393HTSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : DIODE GP 80V 250MA SOT23-3
    სერიები : Automotive, AEC-Q101
    ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 80V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 250mA (DC)
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.25V @ 150mA
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 4ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 75V
    Capacitance @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ