Ნაწილი ნომერი :
IXTA02N250HV
აღწერა :
MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
2500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
200mA (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
7.4nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
116pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
83W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-263AB
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB