Ნაწილი ნომერი :
IPD60R1K5CEAUMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
5A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 90µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
9.4nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
200pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
49W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO252
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63