Vishay Siliconix - SIHP14N50D-GE3

KEY Part #: K6392945

SIHP14N50D-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [61718ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.63669
  • 1,000 pcs$0.63353

Ნაწილი ნომერი:
SIHP14N50D-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIHP14N50D-GE3 electronic components. SIHP14N50D-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP14N50D-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP14N50D-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIHP14N50D-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1144pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 208W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ