ON Semiconductor - FQD5N30TF

KEY Part #: K6413609

[13041ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    FQD5N30TF
    მწარმოებელი:
    ON Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in ON Semiconductor FQD5N30TF electronic components. FQD5N30TF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD5N30TF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD5N30TF პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : FQD5N30TF
    მწარმოებელი : ON Semiconductor
    აღწერა : MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
    სერიები : QFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 300V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.4A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 13nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±30V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 430pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta), 45W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-Pak
    პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRF5804TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

    • IRF5805TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

    • IRF5800TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

    • ZVNL110ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • ZVN4306ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4306ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.