Vishay Siliconix - SI4946BEY-T1-E3

KEY Part #: K6522097

SI4946BEY-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [161909ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.22844
  • 2,500 pcs$0.19308

Ნაწილი ნომერი:
SI4946BEY-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-E3 electronic components. SI4946BEY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4946BEY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4946BEY-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI4946BEY-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 25nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 840pF @ 30V
ძალა - მაქსიმუმი : 3.7W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ