Rohm Semiconductor - SP8K22FRATB

KEY Part #: K6522016

SP8K22FRATB ფასები (აშშ დოლარი) [134951ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.27408

Ნაწილი ნომერი:
SP8K22FRATB
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
4V DRIVE NCHNCH MOSFET CORRESP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor SP8K22FRATB electronic components. SP8K22FRATB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SP8K22FRATB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SP8K22FRATB პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SP8K22FRATB
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : 4V DRIVE NCHNCH MOSFET CORRESP
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 45V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 9.6nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 550pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 2W
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SOP

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ