Alliance Memory, Inc. - AS4C128M8D3B-12BAN

KEY Part #: K937731

AS4C128M8D3B-12BAN ფასები (აშშ დოლარი) [17884ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.56218

Ნაწილი ნომერი:
AS4C128M8D3B-12BAN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA. DRAM 1G 1.5V 800MHz 128Mx8 DDR3 A-Temp
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, ჩაშენებული - მიკროკონტროლები, PMIC - LED მძღოლები, ჩაშენებული - PLD (პროგრამირებადი ლოგიკური მოწყობილ, ლოგიკა - ლატჩები, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, PMIC - დენის Ethernet (PoE) კონტროლერები and ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები - სპეციალურ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3B-12BAN electronic components. AS4C128M8D3B-12BAN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C128M8D3B-12BAN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C128M8D3B-12BAN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS4C128M8D3B-12BAN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
სერიები : Automotive, AEC-Q100
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR3
მეხსიერების ზომა : 1Gb (128M x 8)
საათის სიხშირე : 800MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 20ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.425V ~ 1.575V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 78-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 78-FBGA (8x10.5)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C