Vishay Siliconix - SIUD402ED-T1-GE3

KEY Part #: K6421620

SIUD402ED-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [1073108ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03447

Ნაწილი ნომერი:
SIUD402ED-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIUD402ED-T1-GE3 electronic components. SIUD402ED-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIUD402ED-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIUD402ED-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIUD402ED-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 730 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1.2nC @ 8V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 16pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.25W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 0806
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 0806

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ