Texas Instruments - CSD17556Q5B

KEY Part #: K6396515

CSD17556Q5B ფასები (აშშ დოლარი) [86979ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.46238
  • 2,500 pcs$0.46008

Ნაწილი ნომერი:
CSD17556Q5B
მწარმოებელი:
Texas Instruments
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 8-VSON.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Texas Instruments CSD17556Q5B electronic components. CSD17556Q5B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD17556Q5B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17556Q5B პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : CSD17556Q5B
მწარმოებელი : Texas Instruments
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 8-VSON
სერიები : NexFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 34A (Ta), 100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.65V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 39nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 7020pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.1W (Ta), 191W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-VSON-CLIP (5x6)
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.