Vishay Siliconix - SI4501ADY-T1-GE3

KEY Part #: K6524093

[3947ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SI4501ADY-T1-GE3
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტირისტორები - სკკ and Thististors - DIACs, SIDACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4501ADY-T1-GE3 electronic components. SI4501ADY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4501ADY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4501ADY-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SI4501ADY-T1-GE3
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
    სერიები : TrenchFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N and P-Channel, Common Drain
    FET თვისება : Logic Level Gate
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V, 8V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6.3A, 4.1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 8.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 20nC @ 5V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    ძალა - მაქსიმუმი : 1.3W
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ