Infineon Technologies - BSM10GD120DN2BOSA1

KEY Part #: K6534590

BSM10GD120DN2BOSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [1642ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$26.36640

Ნაწილი ნომერი:
BSM10GD120DN2BOSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BSM10GD120DN2BOSA1 electronic components. BSM10GD120DN2BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM10GD120DN2BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM10GD120DN2BOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSM10GD120DN2BOSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
სერიები : *
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : -
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : -
ძალა - მაქსიმუმი : -
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : -
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : -
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : -
შეყვანა : -
NTC თერმოსტორი : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -
სამონტაჟო ტიპი : -
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A1C15S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 15A ACEPACK1.