Central Semiconductor Corp - 1N4007GPP BK

KEY Part #: K6441861

[3331ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    1N4007GPP BK
    მწარმოებელი:
    Central Semiconductor Corp
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Central Semiconductor Corp 1N4007GPP BK electronic components. 1N4007GPP BK can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4007GPP BK, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N4007GPP BK პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : 1N4007GPP BK
    მწარმოებელი : Central Semiconductor Corp
    აღწერა : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1000V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 1A
    სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 2µs
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1000V
    Capacitance @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-41
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • CDBDSC3650-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V

    • CDBDSC51200-G

      Comchip Technology

      DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V

    • VS-30EPH06-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC. Rectifiers 30A 600V Hyperfast

    • VS-E4PU6006L-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

    • VS-60APU06PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC. Rectifiers 600 Volt 60 Amp

    • VS-60APH03-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 300V Hyperfast 28ns FRED Pt