Infineon Technologies - BSP88H6327XTSA1

KEY Part #: K6421133

BSP88H6327XTSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [360306ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.10266
  • 1,000 pcs$0.08949

Ნაწილი ნომერი:
BSP88H6327XTSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 4SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BSP88H6327XTSA1 electronic components. BSP88H6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP88H6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP88H6327XTSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSP88H6327XTSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 4SOT223
სერიები : SIPMOS®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 240V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 350mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 108µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 6.8nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 95pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.8W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-SOT223-4
პაკეტი / საქმე : TO-261-4, TO-261AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ