Vishay Siliconix - SQ4080EY-T1_GE3

KEY Part #: K6419958

SQ4080EY-T1_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [147465ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.25082
  • 2,500 pcs$0.21196

Ნაწილი ნომერი:
SQ4080EY-T1_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დენის მართვის მოდული and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQ4080EY-T1_GE3 electronic components. SQ4080EY-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ4080EY-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ4080EY-T1_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQ4080EY-T1_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1590pF @ 75V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 7.1W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ