10A07-T ფასები (აშშ დოლარი) [185557ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.19933
- 500 pcs$0.18272
- 1,000 pcs$0.14618
- 2,500 pcs$0.13247
- 5,000 pcs$0.12334
- 12,500 pcs$0.11877
- Ნაწილი ნომერი:
- 10A07-T
- მწარმოებელი:
- Diodes Incorporated
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 1KV 10A R6. Rectifiers 10A 1000V
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - TRIACs and Thististors - SCRs - მოდულები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Diodes Incorporated 10A07-T electronic components. 10A07-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 10A07-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
10A07-T პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
10A07-T
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
DIODE GEN PURP 1KV 10A R6
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
10A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 10A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F :
80pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
R6, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
R-6
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SD103AW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO
-
SD101AW-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60 Volt
-
SL04-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Vrrm If(AV)1.1A 40A Ifsm eSMP
ცხელი ნაწილები
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18
选择你的位置