აღწერა :
GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE
ნაწილის სტატუსი :
Discontinued at Digi-Key
ტექნოლოგია :
GaNFET (Gallium Nitride)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 2mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
2.8nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
325pF @ 20V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
-
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Die Outline (5-Solder Bar)