Vishay Semiconductor Diodes Division - SS2P3LHE3/85A

KEY Part #: K6446660

[1689ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SS2P3LHE3/85A
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO220AA.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SS2P3LHE3/85A electronic components. SS2P3LHE3/85A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS2P3LHE3/85A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SS2P3LHE3/85A პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SS2P3LHE3/85A
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO220AA
    სერიები : eSMP®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Schottky
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 30V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 500mV @ 2A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 200µA @ 30V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-220AA
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-220AA (SMP)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IDB18E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

    • VS-30CPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

    • VS-80EPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.

    • VS-80EPF04PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 80A TO247AC.

    • MBR1650HE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.

    • SUF30G-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 3A P600.