Vishay Siliconix - SQ3987EV-T1_GE3

KEY Part #: K6523275

SQ3987EV-T1_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [344842ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.10726

Ნაწილი ნომერი:
SQ3987EV-T1_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 3A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQ3987EV-T1_GE3 electronic components. SQ3987EV-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ3987EV-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3987EV-T1_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQ3987EV-T1_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 3A 6TSOP
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 133 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 12.2nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 570pF @ 15V
ძალა - მაქსიმუმი : 1.67W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-TSOP

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SI1539DDL-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 30V SC70-6.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.