Vishay Siliconix - SI7905DN-T1-E3

KEY Part #: K6523446

SI7905DN-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [4163ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.41599

Ნაწილი ნომერი:
SI7905DN-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI7905DN-T1-E3 electronic components. SI7905DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7905DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7905DN-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI7905DN-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 30nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 880pF @ 20V
ძალა - მაქსიმუმი : 20.8W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8 Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ