Rohm Semiconductor - QS8K13TCR

KEY Part #: K6525332

QS8K13TCR ფასები (აშშ დოლარი) [198222ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.18660
  • 3,000 pcs$0.15757

Ნაწილი ნომერი:
QS8K13TCR
მწარმოებელი:
Rohm Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Rohm Semiconductor QS8K13TCR electronic components. QS8K13TCR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QS8K13TCR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

QS8K13TCR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : QS8K13TCR
მწარმოებელი : Rohm Semiconductor
აღწერა : MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 20nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 390pF @ 10V
ძალა - მაქსიმუმი : 550mW
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-SMD, Flat Lead
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TSMT8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ