ON Semiconductor - FDMB3900AN

KEY Part #: K6521955

FDMB3900AN ფასები (აშშ დოლარი) [344906ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.10778
  • 3,000 pcs$0.10724

Ნაწილი ნომერი:
FDMB3900AN
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDMB3900AN electronic components. FDMB3900AN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMB3900AN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMB3900AN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDMB3900AN
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
სერიები : PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 17nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 890pF @ 13V
ძალა - მაქსიმუმი : 800mW
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-PowerWDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ