Ნაწილი ნომერი :
TPH6R004PL,LQ
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
87A (Ta), 49A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 200µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
30nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2700pF @ 20V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.8W (Ta), 81W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
175°C
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SOP Advance (5x5)
პაკეტი / საქმე :
8-PowerVDFN