IXYS - IXTA20N65X

KEY Part #: K6397652

IXTA20N65X ფასები (აშშ დოლარი) [13474ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.36695
  • 10 pcs$3.00557
  • 100 pcs$2.46457
  • 500 pcs$1.99570
  • 1,000 pcs$1.68312

Ნაწილი ნომერი:
IXTA20N65X
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 650V 20A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTA20N65X electronic components. IXTA20N65X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA20N65X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA20N65X პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTA20N65X
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1390pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 320W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263 (IXTA)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.