Ნაწილი ნომერი :
IXTA20N65X
აღწერა :
MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
210 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
35nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1390pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
320W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-263 (IXTA)
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB