Infineon Technologies - FS200R12A1T4H5BOMA1

KEY Part #: K6533301

FS200R12A1T4H5BOMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [878ცალი საფონდო]

  • 16 pcs$206.19350

Ნაწილი ნომერი:
FS200R12A1T4H5BOMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
IGBT MODULES.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FS200R12A1T4H5BOMA1 electronic components. FS200R12A1T4H5BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS200R12A1T4H5BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS200R12A1T4H5BOMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FS200R12A1T4H5BOMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : IGBT MODULES
სერიები : *
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : -
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : -
ძალა - მაქსიმუმი : -
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : -
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : -
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : -
შეყვანა : -
NTC თერმოსტორი : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -
სამონტაჟო ტიპი : -
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • CPV364M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • MG06400D-BN4MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT 600V 500A 1250W PKG D.

  • MG1275W-XBN2MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT MOD 1200V 75A PKG W CRCTXB.