Infineon Technologies - IRG5U75HH12E

KEY Part #: K6533543

[4339ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IRG5U75HH12E
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOD IGBT 1200V 75A POWIR ECO 2.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IRG5U75HH12E electronic components. IRG5U75HH12E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG5U75HH12E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRG5U75HH12E პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IRG5U75HH12E
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOD IGBT 1200V 75A POWIR ECO 2
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    IGBT ტიპი : -
    კონფიგურაცია : Full Bridge Inverter
    ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
    მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 130A
    ძალა - მაქსიმუმი : 540W
    Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 3.5V @ 15V, 75A
    მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 1mA
    შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 9.5nF @ 25V
    შეყვანა : Standard
    NTC თერმოსტორი : Yes
    ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    პაკეტი / საქმე : POWIR ECO 2™ Module
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : POWIR ECO 2™

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VS-GT175DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

    • VS-GP250SA60S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

    • VS-GT105NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

    • VS-GT105LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

    • VS-GT100NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.