Infineon Technologies - FZ1200R17HE4PHPSA1

KEY Part #: K6533598

FZ1200R17HE4PHPSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [137ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$335.66304

Ნაწილი ნომერი:
FZ1200R17HE4PHPSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MODULE IGBT IHMB130-2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FZ1200R17HE4PHPSA1 electronic components. FZ1200R17HE4PHPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ1200R17HE4PHPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R17HE4PHPSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FZ1200R17HE4PHPSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MODULE IGBT IHMB130-2
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Single Switch
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1700V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 1200A
ძალა - მაქსიმუმი : -
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 1200A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 5mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 97nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.