Ნაწილი ნომერი :
SIR622DP-T1-RE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
N-CHANNEL 150-V D-S MOSFET
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
12.6A (Ta), 51.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
41nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1516pF @ 75V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
6.25W (Ta), 104W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerPAK® SO-8
პაკეტი / საქმე :
PowerPAK® SO-8