Microsemi Corporation - APTGV50H60BT3G

KEY Part #: K6534598

APTGV50H60BT3G ფასები (აშშ დოლარი) [1721ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$25.29778
  • 50 pcs$25.17192

Ნაწილი ნომერი:
APTGV50H60BT3G
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
MOD IGBT NPT 600V SP3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTGV50H60BT3G electronic components. APTGV50H60BT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGV50H60BT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGV50H60BT3G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTGV50H60BT3G
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : MOD IGBT NPT 600V SP3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
IGBT ტიპი : NPT, Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Boost Chopper, Full Bridge
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 65A
ძალა - მაქსიმუმი : 250W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 50A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 250µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 2.2nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SP3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP3

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • A2P75S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.

  • A2P75S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2.