Infineon Technologies - FD1000R33HE3KBPSA1

KEY Part #: K6532832

FD1000R33HE3KBPSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [41ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$844.64065

Ნაწილი ნომერი:
FD1000R33HE3KBPSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FD1000R33HE3KBPSA1 electronic components. FD1000R33HE3KBPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FD1000R33HE3KBPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD1000R33HE3KBPSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FD1000R33HE3KBPSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Dual Brake Chopper
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 3300V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 1000A
ძალა - მაქსიმუმი : 11500W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 3.1V @ 15V, 1000A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 5mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 190nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GB75LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GT140DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

  • VS-GT120DA65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.