IXYS - IXFX120N30T

KEY Part #: K6394691

IXFX120N30T ფასები (აშშ დოლარი) [9959ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$5.80402
  • 10 pcs$5.22274
  • 100 pcs$4.29418
  • 500 pcs$3.59781

Ნაწილი ნომერი:
IXFX120N30T
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - JFET and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFX120N30T electronic components. IXFX120N30T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX120N30T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX120N30T პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFX120N30T
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
სერიები : GigaMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 300V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 265nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 20000pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 960W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PLUS247™-3
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ