Ნაწილი ნომერი :
ALD210808PCL
მწარმოებელი :
Advanced Linear Devices Inc.
აღწერა :
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
სერიები :
EPAD®, Zero Threshold™
FET ტიპი :
4 N-Channel, Matched Pair
FET თვისება :
Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
10.6V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
20mV @ 10µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
-
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
-
ოპერაციული ტემპერატურა :
0°C ~ 70°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
16-DIP (0.300", 7.62mm)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
16-PDIP