Infineon Technologies - IRFR4615PBF

KEY Part #: K6407659

IRFR4615PBF ფასები (აშშ დოლარი) [897ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.30235

Ნაწილი ნომერი:
IRFR4615PBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 150V 33A D-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRFR4615PBF electronic components. IRFR4615PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR4615PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR4615PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFR4615PBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 150V 33A D-PAK
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 33A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1750pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 144W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-Pak
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • 2N7000-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

  • BS170_J35Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR3110ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • IRFR3707ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 56A DPAK.

  • IRFR3910TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 16A DPAK.