Vishay Siliconix - SIS407ADN-T1-GE3

KEY Part #: K6420750

SIS407ADN-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [244678ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.15117
  • 3,000 pcs$0.14225

Ნაწილი ნომერი:
SIS407ADN-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, დენის მართვის მოდული, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIS407ADN-T1-GE3 electronic components. SIS407ADN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS407ADN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS407ADN-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIS407ADN-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 168nC @ 8V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5875pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ