Microsemi Corporation - JANTXV1N6631

KEY Part #: K6446163

[1860ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    JANTXV1N6631
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6631 electronic components. JANTXV1N6631 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6631, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N6631 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N6631
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
    სერიები : Military, MIL-PRF-19500/590
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1100V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.4A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.6V @ 1.4A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 60ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 4µA @ 1100V
    Capacitance @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : E, Axial
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : E-PAK
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • VS-8EWF12STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

    • VS-8EWF12STRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

    • VT2080SHM3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 80V 20A TO220AB.

    • VS-20ATS08PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AB.

    • VSB1545-M3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 6A P600.

    • VSB15L45-M3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 7A P600.