Infineon Technologies - FS75R12KE3BOSA1

KEY Part #: K6532703

FS75R12KE3BOSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [840ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$55.29858

Ნაწილი ნომერი:
FS75R12KE3BOSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
IGBT MODULE 1200V 75A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FS75R12KE3BOSA1 electronic components. FS75R12KE3BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS75R12KE3BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS75R12KE3BOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FS75R12KE3BOSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : IGBT MODULE 1200V 75A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : NPT
კონფიგურაცია : Three Phase Inverter
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 105A
ძალა - მაქსიმუმი : 350W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 75A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 5mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 5.3nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.