ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16320E-25DBLA2

KEY Part #: K937833

Დეტალური აღწერა:: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ. DRAM 512M 1.8V 32Mx16 Ext Temp DDR2

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, მონაცემთა შეძენა - სენსორული მაკონტროლებელი, PMIC - ლაზერული დრაივერი, ლოგიკა - უნივერსალური ავტობუსის ფუნქციები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - სპეციალური დანიშნულებ, PMIC - ძაბვის მითითება, ლოგიკა - FIFO მეხსიერება and PMIC - ენერგიის გაზომვა ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-25DBLA2 electronic components. IS46DR16320E-25DBLA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46DR16320E-25DBLA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : IS46DR16320E-25DBLA2

მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

მეხსიერების ტიპი : Volatile

მეხსიერების ფორმატი : DRAM

ტექნოლოგია : SDRAM - DDR2

მეხსიერების ზომა : 512Mb (32M x 16)

საათის სიხშირე : 400MHz

დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns

წვდომის დრო : 400ps

მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel

ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.9V

ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C (TA)

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : 84-TFBGA

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 84-TWBGA (8x12.5)

Silicom MinnowBoard Turbot

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

W9825G2JB-75

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,
W9825G2JB-6

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,
IS66WVC4M16EALL-7010BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.
W97AH2KBVX2I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C
W97AH6KBVX2I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 2G 256MX8 FBGA

ცხელი ნაწილები