Micron Technology Inc. - MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR

KEY Part #: K937826

MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR ფასები (აშშ დოლარი) [18200ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.75043
  • 1,000 pcs$2.73675

Ნაწილი ნომერი:
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 2G 256MX8 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ხაზოვანი - ვიდეო დამუშავება, ლოგიკა - გეითსი და ინვერტორები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - ვიდეო ამპერები და მოდ, PMIC - ენერგეტიკის მენეჯმენტი - სპეციალიზირებული, ინტერფეისი - სიგნალის ბუფერები, გამეორება, გაყოფა, ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), მონაცემთა შეძენა - ანალოგური წინა ბოლოს (AFE) and ინტერფეისი - I / O Expanders ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR electronic components. MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND
მეხსიერების ზომა : 2Gb (256M x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 63-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 63-VFBGA (9x11)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W97AH6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C