1N4531,113 ფასები (აშშ დოლარი) [5195635ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.00901
- 10,000 pcs$0.00897
- 30,000 pcs$0.00807
- 50,000 pcs$0.00717
- 100,000 pcs$0.00673
- 250,000 pcs$0.00598
- Ნაწილი ნომერი:
- 1N4531,113
- მწარმოებელი:
- Nexperia USA Inc.
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA DO34. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SW TAPE AXIAL
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - SCRs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Nexperia USA Inc. 1N4531,113 electronic components. 1N4531,113 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4531,113, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4531,113 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
1N4531,113
მწარმოებელი :
Nexperia USA Inc.
აღწერა :
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO34
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
75V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
200mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 10mA
სიჩქარე :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
4ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
25nA @ 20V
Capacitance @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
DO-204AG, DO-34, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-34
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
200°C (Max)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
C4D05120E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A
-
1N4150W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
-
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
ცხელი ნაწილები
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A
选择你的位置