1N4150W-E3-18 ფასები (აშშ დოლარი) [2895399ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.01348
- 10,000 pcs$0.01342
- 30,000 pcs$0.01262
- 50,000 pcs$0.01184
- 100,000 pcs$0.01052
- Ნაწილი ნომერი:
- 1N4150W-E3-18
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტირისტორები - სკკ ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150W-E3-18 electronic components. 1N4150W-E3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4150W-E3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4150W-E3-18 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
1N4150W-E3-18
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
200mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 200mA
სიჩქარე :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
4ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
100nA @ 50V
Capacitance @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
SOD-123
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOD-123
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
C4D05120E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A
-
1N4150W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SD103CW-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 20V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 20Volt 15A IFSM AUTO
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
-
SS2FL3-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 30V DO-219AB Ifsm 50A
ცხელი ნაწილები
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18
选择你的位置