Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10GHE3_A/H

KEY Part #: K6439771

BYG10GHE3_A/H ფასები (აშშ დოლარი) [618118ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05984
  • 7,200 pcs$0.05471

Ნაწილი ნომერი:
BYG10GHE3_A/H
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214. Rectifiers 1.5A,400V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10GHE3_A/H electronic components. BYG10GHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10GHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10GHE3_A/H პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYG10GHE3_A/H
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Avalanche
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.15V @ 1.5A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 4µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AC (SMA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAV20W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM

  • 1N4148W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

  • SD103AW-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101AW-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM

  • SD103BW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM

  • BYG22B-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD