Infineon Technologies - IPD50R650CEATMA1

KEY Part #: K6402338

IPD50R650CEATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [2739ცალი საფონდო]

  • 2,500 pcs$0.11645

Ნაწილი ნომერი:
IPD50R650CEATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - RF, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPD50R650CEATMA1 electronic components. IPD50R650CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50R650CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD50R650CEATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPD50R650CEATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
სერიები : CoolMOS™ CE
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6.1A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 150µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 342pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 69W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO252-3
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ