Diodes Incorporated - BSP75GQTA

KEY Part #: K6396290

BSP75GQTA ფასები (აშშ დოლარი) [126380ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.29267

Ნაწილი ნომერი:
BSP75GQTA
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated BSP75GQTA electronic components. BSP75GQTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP75GQTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP75GQTA პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSP75GQTA
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
Vgs (მაქს) : -
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-223
პაკეტი / საქმე : TO-261-4, TO-261AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ