მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
FET ტიპი :
N and P-Channel
FET თვისება :
Logic Level Gate, 1.5V Drive
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
72 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
3.6nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
260pF @ 10V
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-SMD, Flat Lead
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-TSST