WeEn Semiconductors - BYV25X-600,127

KEY Part #: K6447565

BYV25X-600,127 ფასები (აშშ დოლარი) [1381ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.38047
  • 10 pcs$0.31521
  • 100 pcs$0.24165
  • 500 pcs$0.19103
  • 1,000 pcs$0.15282

Ნაწილი ნომერი:
BYV25X-600,127
მწარმოებელი:
WeEn Semiconductors
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F. Rectifiers Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 5A
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in WeEn Semiconductors BYV25X-600,127 electronic components. BYV25X-600,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV25X-600,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV25X-600,127 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYV25X-600,127
მწარმოებელი : WeEn Semiconductors
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 5A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 60ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 50µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220FP
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MA3X78600L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

  • MA3X74800L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

  • 1PS193,115

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 1PS193,135

    NXP USA Inc.

    DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

  • 8EWS12S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

  • 50WQ06FNTRR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.