Vishay Semiconductor Diodes Division - 8EWS12S

KEY Part #: K6447473

[1412ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    8EWS12S
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and Thististors - DIACs, SIDACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 8EWS12S electronic components. 8EWS12S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 8EWS12S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    8EWS12S პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : 8EWS12S
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 8A
    სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 50µA @ 1200V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-Pak
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • MA3X78600L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

    • MA3X74800L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 8EWS12S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • 50WQ06FNTRR

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.