Nexperia USA Inc. - PSMN165-200K,518

KEY Part #: K6410138

PSMN165-200K,518 ფასები (აშშ დოლარი) [39ცალი საფონდო]

  • 10,000 pcs$0.21879

Ნაწილი ნომერი:
PSMN165-200K,518
მწარმოებელი:
Nexperia USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN165-200K,518 electronic components. PSMN165-200K,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN165-200K,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN165-200K,518 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : PSMN165-200K,518
მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
აღწერა : MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
სერიები : TrenchMOS™
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1330pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VN2222LL-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • ZVN4206AV

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • IXTY1R4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

  • FCD7N60TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FDD5810

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.

  • BSL211SPT

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP.