GeneSiC Semiconductor - 1N6097R

KEY Part #: K6425057

1N6097R ფასები (აშშ დოლარი) [4539ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$9.54375
  • 100 pcs$5.79996

Ნაწილი ნომერი:
1N6097R
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - სკკ and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N6097R electronic components. 1N6097R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6097R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6097R პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N6097R
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky, Reverse Polarity
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 30V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 50A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 700mV @ 50A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5mA @ 30V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Chassis, Stud Mount
პაკეტი / საქმე : DO-203AB, DO-5, Stud
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-5
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FGD5T120SH

    ON Semiconductor

    IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.

  • FGD3N60UNDF

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 60W DPAK.

  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier