Power Integrations - QH05BZ600

KEY Part #: K6425053

QH05BZ600 ფასები (აშშ დოლარი) [102815ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.39734
  • 800 pcs$0.39537
  • 1,600 pcs$0.34323
  • 2,400 pcs$0.31956
  • 5,600 pcs$0.31561

Ნაწილი ნომერი:
QH05BZ600
მწარმოებელი:
Power Integrations
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Power Integrations QH05BZ600 electronic components. QH05BZ600 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for QH05BZ600, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

QH05BZ600 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : QH05BZ600
მწარმოებელი : Power Integrations
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
სერიები : Qspeed™
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 3.1V @ 5A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 10ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 250µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 17pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FGD5T120SH

    ON Semiconductor

    IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.

  • FGD3N60UNDF

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 60W DPAK.

  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier