Infineon Technologies - IRFR7446TRPBF

KEY Part #: K6401989

IRFR7446TRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [183302ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.20178
  • 2,000 pcs$0.19368

Ნაწილი ნომერი:
IRFR7446TRPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRFR7446TRPBF electronic components. IRFR7446TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR7446TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR7446TRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFR7446TRPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
სერიები : HEXFET®, StrongIRFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 56A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3150pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 98W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-Pak
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • BS270-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.